超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场转换到体内场，相对于传统VDMOS器件Rdson*A-BV关系从2.5次方变为1.32次方。

CoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon C6系列，有效提升开关电源的效率及功率密度。